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供应新洁能NCE102 MOSFET-上海衡丽
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NCE0102采用沟槽技术和设计,以低栅极电荷提供***RDS(ON)。它可用于多种应用。
一般特征
VDS=100V,ID=2A
电压梯度=10V时RDS(开启)<240mΩ(典型值:195mΩ)
VGS=4.5V时RDS(开启)<260mΩ(典型值:204mΩ)
***Rdson的高密度单元设计
全特性雪崩电压和电流
良好的散热包装
应用
电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源
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